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Sitime晶振,貼片晶振,SiT9103晶振,千兆以太網(wǎng)晶振頻率：1-800 MHz尺寸：7.0*5.0*0.9mm
有源石英晶振，無論是溫補晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
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Sitime晶振,貼片晶振,SiT2001B晶振,高溫應(yīng)用晶振頻率：1-110 MHz尺寸：2.9*2.8*1.25mm
小體積有源石英晶體振蕩器，在生產(chǎn)時需要在完全凈化車間，在密封的機器設(shè)備中測良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
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Sitime晶振,有源晶振,SiT8925B晶振頻率：115.2M~137MHZ尺寸：2.0x1.6mm
貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
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Sitime晶振,有源晶振,SiT8924B晶振頻率：1M~110MHZ尺寸：5.0x7.0mm
小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
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Sitime晶振,貼片晶振,SiT8002AA晶振頻率：1M~125MHZ尺寸：2.5x2.0mm
可編程晶振就是可以滿足任何頻點的晶體振蕩器,經(jīng)過頻率發(fā)生器的放大或縮小后實現(xiàn)各種不同的總線頻率.Sitime可編程晶體振蕩器采用全自動化半導(dǎo)體工藝（芯片級）,無氣密性問題,永不停振.并且集成了溫度補償電路,全溫度范圍無溫漂,-40℃-85℃全溫保證；可支持1-800MHZ任一頻點,精確致小數(shù)點后5位輸出.
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Sitime晶振,貼片晶振,SiT2025晶振頻率：115.2M~137MHZ尺寸：2.9x2.8mm
可編程晶振就是可以滿足任何頻點的晶體振蕩器,經(jīng)過頻率發(fā)生器的放大或縮小后實現(xiàn)各種不同的總線頻率.Sitime可編程晶體振蕩器采用全自動化半導(dǎo)體工藝（芯片級）,無氣密性問題,永不停振.并且集成了溫度補償電路,全溫度范圍無溫漂,-40℃-85℃全溫保證；可支持1-800MHZ任一頻點,精確致小數(shù)點后5位輸出.
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Sitime晶振,貼片晶振,SiT2018晶振頻率：1M~110MHZ尺寸：2.9x2.8mm
Sitime可編程晶體振蕩器采用全自動化半導(dǎo)體工藝（芯片級）,無氣密性問題,永不停振.并且集成了溫度補償電路,全溫度范圍無溫漂,-40℃-85℃全溫保證；可支持1-800MHZ任一頻點,精確致小數(shù)點后5位輸出.可編程晶振國際標(biāo)準(zhǔn)QFN封裝：7050、5032、3225、2520晶振等.被廣泛應(yīng)用于鐘表、數(shù)碼產(chǎn)品、車載數(shù)碼、手機、對講機、數(shù)碼相機、MID平板電腦,光電技術(shù)等通訊設(shè)備及各種頻率控制設(shè)備.
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